Фотоэлектрический эффектУ истоков квантовой физики
Фотоэлектронный спектрометрИнструмент исследований в квантовой физике
Исследование микрообластей: несколько методов в одном приборе
— Csi-Lab XPS-X5: высокопроизводительный рентгеновский фотоэлектронный спектрометр
01/03

Области применения Csi-Lab

Квантовая физика
Исследование электронной структуры и поверхностных состояний квантовых материалов для решения актуальных задач физики конденсированного состояния
Фотоэлектронная спектроскопия позволяет исследовать электронную структуру квантовых материалов: зонную структуру, поверхность Ферми, химические состояния и электронные свойства поверхности. Метод применяется для изучения топологических и двумерных материалов, сильнокоррелированных систем, фотоиндуцированных квантовых состояний и других актуальных направлений квантовой физики.
Исследования полупроводников
Высокочувствительный анализ поверхности и межфазных границ для разработки полупроводниковых материалов, оптимизации технологических процессов и анализа отказов
Фотоэлектронная спектроскопия, в том числе с возбуждением жёстким рентгеновским излучением (HAXPES), позволяет выявлять загрязнения поверхности полупроводниковых пластин, исследовать границы раздела с диэлектриками с высокой диэлектрической проницаемостью и погребённые структуры. Эти данные помогают устанавливать причины отказов, повышать стабильность технологических процессов и выход годных изделий.
Исследования аккумуляторов
Анализ химических состояний поверхности и межфазных границ аккумуляторных материалов для разработки безопасных аккумуляторов с высокой плотностью энергии
Метод позволяет исследовать химические состояния поверхности электродных материалов и изменения межфазных границ, определять механизмы формирования, состав и эволюцию твёрдоэлектролитного межфазного слоя (SEI) при заряде и разряде. Эти данные необходимы для повышения циклического ресурса и безопасности аккумуляторов, а также улучшения их характеристик при высоких токах заряда и разряда.
Лабораторные исследования
Анализ химических состояний поверхности и межфазных границ материалов для изучения механизмов процессов и улучшения свойств материалов
Фотоэлектронная спектроскопия обеспечивает высокочувствительный анализ элементного состава, химических состояний и химических связей на поверхности образца. Метод применяется при разработке новых материалов, исследовании модификации поверхности, тонких плёнок и межфазных границ, а также механизмов химических реакций.

Новости Csi-Lab