Главная Продукция Серия XPS Система рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии при давлениях, близких к атмосферному

Система рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии при давлениях, близких к атмосферному

Модель: XPS-X7
Связаться с нами

Описание

Разработан специально для анализа электронной структуры in situ на границах раздела твёрдое тело — газ и жидкость — газ

* Многоступенчатая дифференциальная откачка в системе линз обеспечивает фотоэлектронные измерения при давлении до 25 мбар

* Подходит для исследований роста тонких плёнок, поверхностного катализа, электрохимии и других процессов на границах раздела твёрдое тело — газ и жидкость — газ

* Максимальный угол приёма ±22°

* Возможен лазерный нагрев образца до 1100 К

Технические характеристики

Анализатор энергии
R150-NAP
Диапазон энергий
1–1500 эВ
Энергия пропускания
1–200 эВ; доступно несколько значений
Рабочее расстояние
300–500 мкм
Стандартный диаметр апертуры
300 мкм
Угол приёма
±22°
Рабочее давление
От сверхвысокого вакуума до 25 мбар
Число ступеней дифференциальной откачки
Четыре
Разделение ступеней
Первая и вторая ступени дифференциальной откачки могут быть изолированы клапаном
Монохроматизированный рентгеновский источник
μXR600-Mono-NAP
Материал анода
Алюминиевый анод
Размер пятна
200–600 мкм
Манипулятор образца
4 или 5 осей
Охлаждение/нагрев
Опционально: охлаждение жидким азотом или лазерный нагрев
Система прогрева
Прогрев с циркуляцией горячего воздуха
Система управления
Отображение и контроль параметров вакуума в реальном времени; защита системы

Другие приборы